水浸探測(cè)器怎樣更好地讀出電路？

在樓宇控制的設(shè)計(jì)中，水浸探測(cè)器是一種很重要的電氣設(shè)備。水浸探測(cè)器讀出電路主要結(jié)構(gòu)如圖所示，電路由三級(jí)組成，第一級(jí)像素級(jí)，1×64陣列的量子點(diǎn)-量子阱光電探測(cè)器，通過(guò)行掃描開(kāi)關(guān)連到第二級(jí)CTIA-CDS讀出級(jí)。第三級(jí)是緩沖輸出級(jí)。為了抑制水浸探測(cè)器讀出過(guò)程器件與采樣系統(tǒng)產(chǎn)生的熱噪聲、1/f噪聲、暗電流噪聲和背景噪聲電流，采樣保持電路采用相關(guān)雙采樣結(jié)構(gòu)。為了增加動(dòng)態(tài)范圍，積分電容有2，10和12pF三種，為了抑制量子點(diǎn)存儲(chǔ)對(duì)光探測(cè)的影響，采用周期性倒空技術(shù)，在水浸探測(cè)器器件下電極端(VCOM)加周期性倒空信號(hào)，在光讀出前進(jìn)行復(fù)位，減小量子點(diǎn)存儲(chǔ)電荷影響，增大水浸探測(cè)器微光探測(cè)靈敏度。